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Snapdragon 855 : premier test en fuite, 30% de performances monocoeur en plus

Un score de 3697 points sur Geekbench

Image 1 : Snapdragon 855 : premier test en fuite, 30% de performances monocoeur en plus

Tout comme le Kirin 980 de Huawei, le Snapdragon 855 est le futur SoC mobile de Qualcomm basé sur le procédé de gravure en 7 nm de TSMC. D’après ce qui semble être les premiers tests sur Geekbench et HTML5 du SoC, repérés par WCCFTECH, le Snapdragon 855 devrait embarquer 8 cœurs à 1,78 GHz et utiliser Android 9 Pie comme système d’exploitation. De plus, comparé à son prédécesseur, le Snapdragon 845, il présenterait une augmentation de plus de 30% des performances monocoeur.

Moins impressionnant en multicoeur

Image 2 : Snapdragon 855 : premier test en fuite, 30% de performances monocoeur en plusIdentifié sous le nom de « QUALCOMM msmnile for arm64 » sur Geekbench, le Snapdragon 855 a obtenu un score de 3697 points en performances monocoeurs, là où un Snapdragon 845 affiche environ 2400 points. Un résultat impressionnant qui promettrait environ 35% de performances en plus pour le SoC en 7 nm. En revanche, côté multicœur les chiffres sont moins impressionnants puisqu’on ne voit qu’une différence d’environ 1500 points entre les deux générations.

Notez que si les rumeurs sont avérées, le Snapdragon 855 devrait également embarquer un modem X24, capable de monter à 2 Gbit/s en téléchargement. Selon WCCFTECH, les premiers smartphones à utiliser le nouveau SoC de Qualcomm devraient être les futurs Samsung Galaxy S10 attendus pour la fin du premier trimestre 2019.

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