Accueil » Actualité » SoC Samsung Exynos : 10 nm, 4 GHz, sortie en 2017 dans le Galaxy S8

SoC Samsung Exynos : 10 nm, 4 GHz, sortie en 2017 dans le Galaxy S8

Le prochain SoC Exynos de Samsung serait avant tout un die shrink en 10 nm qui privilégierait les fréquences plutôt qu’une architecture complexe. La puce pourrait ainsi battre des records de vitesse.

Image 1 : SoC Samsung Exynos : 10 nm, 4 GHz, sortie en 2017 dans le Galaxy S8Exynos 8890

Selon des informations publiées sur Weibo et reprises par Phone Arena, Samsung serait en train de tester son prochain SoC gravé en 10 nm. On s’attend à ce que la puce intègre le prochain Galaxy S8 qui devrait être annoncé en 2017. Il n’est donc pas étonnant que le Coréen ait commencé à fabriquer les premiers exemplaires de tests de son prochain Exynos.

4 GHz

Selon les rumeurs, la puce serait avant tout un die shrink de l’Exynos 8890. Pour rappel, le SoC intégré dans les Galaxy S7 utilise quatre coeurs Cortex-A53 à 1,6 GHz et quatre coeurs personnalisés Exynos M1 répondant au nom de code Mongoose tournant entre 2,3 GHz et 2,6 GHz suivant la charge. Les coeurs personnalisés de la puce en 10 nm seraient cadencés à 4 GHz, contre 2,7 GHz pour les Cortex-A53. Ce sont des montées en fréquences élevées et il convient de prendre cette information avec des pincettes. Néanmoins, ce ne sont pas des chiffres impossibles puisque le Snapdragon 830, qui sera aussi gravé en 10 nm, est attendu à 3,6 GHz et devrait aussi être fabriqué par Samsung. La nouvelle puce coréenne aurait enfin, selon les information du site chinois, une consommation proche de la prochaine puce de Qualcomm.