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Toshiba : 16 die NAND empilés et reliés en TSV

Image 1 : Toshiba : 16 die NAND empilés et reliés en TSVToshiba vient d’annoncer une puce de mémoire flash NAND de 256 Go (oui Go, pas Gbit) utilisant la méthode TSV (Through Silicon Via) pour la communication entre les 16 die composants la puce de mémoire flash. Traditionnellement, les dies empilés les uns sur les autres (pour accroitre la densité) sont reliés entre eux par des connexions externes. Les TSV révolutionnent le genre puisque cette méthode permet de relier les dies avec une connexion interne. On retrouve également la technique TSV sur la mémoire HBM présente sur la Radeon Fury X.

Débits en hausse, consommation en baisse


Ainsi, chaque die est troué pour permettre de faire passer un « fil » en cuivre qui transmettra les données entre les dies. Une telle méthode permet d’augmenter les performances et / ou d’abaisser la consommation. Toshiba annonce ainsi un débit de 1 Gbps et 1,8V pour le circuit principal et 1,2V pour le circuit des entrées / sorties.

Pour 256 Go, la puce se contente d’une taille de 14 x 18 x 1,9 mm. Un prototype sera présent du 11 au 13 août à Santa Clara au Flash Memory Summit 2015. On devrait retrouver cette mémoire dans les SSD mais aussi les cartes SD.