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Toshiba : de la flash gravée en 30nm dès 2010 ?

Selon certaines sources, Toshiba pourrait dès mars 2010 débuter la production de masse de puces de mémoire flash gravée en 30 nm. Ces puces seraient produites par l’usine de Yokkaichi au Japon. Cette usine devrait par ailleurs commencer à produire en masse des puces de mémoire flash gravées en 43 nm dès le mois de mars 2008, les premiers exemplaires étant attendus pour le mois de décembre prochain. L’objectif de cette réduction de la finesse de gravure est bien entendu de réduire les coûts de fabrication.

De son côté, Samsung, actuel leader de ce marché et concurrent direct de Toshiba, s’est allié à IBM, Infineon, Chartered Semiconductor et Freescale Semiconductor afin de produire des puces utilisant une technologie de gravure en 32nm d’ici 2010 également. La course à la gravure la plus fine n’est décidemment pas près de s’arrêter…