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Toshiba et SanDisk gravent leur mémoire Flash en 15 nm

Image 1 : Toshiba et SanDisk gravent leur mémoire Flash en 15 nm

Alors qu’Intel peine à graver ses CPU Broadwell en 14 nm, Toshiba et SanDisk sont les premiers à produire de la mémoire Flash en 15 nm. Les deux partenaires prévoient de lancer la production à la fin de ce mois dans leur usine commune Fab 5 de Yokkaichi. 

Toshiba va d’abord appliquer ce nouveau procédé – qui remplacera tout simplement le 19 nm employé jusqu’à aujourd’hui – à de la mémoire MLC à 2 bits par cellule. Il permettra de produire les puces de 128 Gbit les plus petites du marché. À partir de juin, il devrait être étendu à la mémoire TLC (3 bits par cellule). Toshiba prévoit que cette TLC sera dans un premier temps utilisée dans les smartphones et tablettes, mais le groupe japonais développe en parallèle un nouveau contrôleur qui permettra de créer des SSD performants pour PC dotés de cette mémoire. Toshiba suit ainsi les pas de Samsung qui a fait le choix de la TLC sur ses SSD grand public depuis deux ans.

Malgré la réduction de la taille des cellules, la Flash 15 nm serait aussi rapide que la 19 nm en écriture. Elle bénéficie également d’une interface plus rapide à 533 Mbit/s.