Accueil » Actualité » TSMC grave 1 000 wafers au EUV en 24 heures

TSMC grave 1 000 wafers au EUV en 24 heures

Image 1 : TSMC grave 1 000 wafers au EUV en 24 heuresUn scanner à ultraviolet extrêmeTSMC et ASML, un équipementier, ont annoncé avoir réussi à graver 1 000 wafers en 24 heures en utilisant un laser à ultraviolet extrême. C’est une étape importante et symbolique, parce qu’elle a été réalisée sur une machine requérant une source stable d’une puissance de plus de 90 W, ce qui permet d’envisager une production en masse, selon ExtremeTech qui rapporte la nouvelle.

Cela fait maintenant huit ans que les équipementiers et les fondeurs tentent de concevoir une alimentation suffisamment stable pour graver en utilisant des ultraviolets extrêmes (cf. « Pas de EUV pour les 10 nm d’Intel »). Le défi vient du fait que le processus de fabrication demande une puissance importante et qu’il ne tolère pas de variation. Aujourd’hui, un processus photolithographique classique utilisant un laser à fluorure d’argon demande une puissance de 200 W/cm2. Comparativement, les ultraviolets extrêmes demandent 1011 W/cm2. Les scanners utilisant cette nouvelle méthode exigent donc beaucoup plus de puissance, ce qui oblige à repenser les installations et arriver à concevoir une source stable. En 2008, les alimentations ne permettaient de produire que 4 wafers par heure. Aujourd’hui, TSMC parle d’environ 43 wafers par heure. Il reste encore du chemin, puisqu’une chaîne de fabrication classique grave entre 100 et 125 wafers par heure. Le problème est que les méthodes lithographiques classiques sont de plus en plus couteuses et l’agrandissement des finesses de gravure est de plus en plus complexe (cf. « Intel voit après le 10 nm »). On envisage donc que les ultraviolets extrêmes seraient seulement utilisés pour graver une partie du wafer dans un premier temps, afin de pouvoir en profiter sans trop souffrir de leurs problèmes de rendement.