Accueil » Actualité » TSMC passe au 7 nm en 2018, pas de EUV avant la deuxième génération de puces

TSMC passe au 7 nm en 2018, pas de EUV avant la deuxième génération de puces

Deux approches différentes pour une même finesse de gravure.

Image 1 : TSMC passe au 7 nm en 2018, pas de EUV avant la deuxième génération de pucesLe QG de TSMCTSMC se préparerait à graver en masse en 7 nm dès 2018 en utilisant des outils lithographiques chinois et un processus à ultra-violet profond (DUV), selon DigiTimes. Surnommé 7N, cette finesse sera sa première génération de 7 nm, le fondeur passant aux ultra-violets extrêmes (EUV) vers la fin de l’année prochaine lorsqu’il développera sa deuxième génération. L’approche est beaucoup plus prudente que Samsung qui passera à un 7 nm EUV directement dès le début 2018 pour la fabrication en masse du SoC Apple A12, selon les dernières informations.

À lire aussi :
Miniaturisation des transistors et agrandissement des wafers : comprendre les enjeux technologiques

2018 s’annonce passionnant

Les scanners DUV utilisent une longueur d’onde de 193 nm, la même que celle du laser à fluorure d’argon utilisé aujourd’hui. Ils permettent donc de facilement graver en 7 nm, mais les finesses plus importantes seront plus difficiles à mettre en oeuvre. Inversement, les scanners EUV viennent tout juste d’être considérés comme commercialement viables, et ils sont plus difficiles à manier aujourd’hui, mais leur longueur d’onde de seulement 13 nm bercera les grandes étapes lithographiques du futur. 2018 dira qui de Samsung ou TSMC aura eu la bonne approche.