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TSMC passera à l’EUV pour son 5 nm

Image 1 : TSMC passera à l'EUV pour son 5 nmUn scanner EUVLors de la présentation de ses résultats financiers la semaine dernière, le P.D.G de TSMC a répondu à une question d’UBS à propos de la gravure aux ultraviolets extrêmes (EUV) en affirmant que son 7 nm n’utiliserait très probablement pas cette méthode de fabrication et qu’il planifiait de l’utiliser pour son 5 nm. Il reste tout de même prudent et explique qu’il reste encore des objectifs à atteindre avant son utilisation en masse. Il explique que les EUV permettent de réduire le nombre de masques utilisés et qu’il offre aussi plus de contrôle qu’un laser au fluorure d’argon.

Pour rappel, il a annoncé durant la même présentation que la fabrication en masse en 10 nm commencerait au dernier trimestre 2016 et que le 7 nm serait prévu pour 2018, voire 2019 (cf. « TSMC produirait en masse en 10 nm à la fin 2016 »). Nous savons que TSMC a déjà réalisé des tests intéressants qui laissent penser qu’il sera prêt pour son 7 nm (cf. « TSMC grave 1 000 wafers au EUV en 24 heures »). Intel n’a pas vraiment dit quand il pensait pouvoir utiliser les EUV, mais il semblerait qu’ils choisissent aussi d’attendre son 5 nm (cf. « Pas de EUV pour les 10 nm d’Intel »)