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TSMC produirait en masse en 10 nm à la fin 2016

Image 1 : TSMC produirait en masse en 10 nm à la fin 2016Une usine de TSMC

TSMC affirme qu’il n’a pas de retard sur son 10 nm et que la production en masse va en principe commencer durant le dernier trimestre 2016, ce qui signifie que les OEM recevront leurs premières puces au début 2017. Les déclarations ont été faites lors de la présentation des résultats financiers la semaine dernière. Il affirme que la nouvelle finesse de gravure offre des fréquences 15 % plus élevées pour une consommation identique ou une consommation en baisse de 35 % pour des fréquences identiques. Le 10 nm FinFET devrait avoir une densité de 110 % à 120 % plus élevée que le 16 nm FinFET+. Il parle aussi des premières certifications en 7 nm qui devraient avoir lieu durant le premier trimestre 2017, ce qui signifie qu’il devrait arriver sur les marchés en 2018, voire 2019, soit au moment où la firme est censé utiliser des wafers de 450 mm (18 pouces).

Un écart très faible entre Samsung et TSMC

La firme aurait donc une avance sur Samsung qui ne devrait produire son 10 nm en masse qu’à la toute fin de l’année 2016, mais l’écart est moins important que ce que le site Business Korea annonçait (cf. « Le 10 nm de Samsung serait en retard sur celui de TSMC »). Intel a quant à lui du retard sur les processeurs utilisant cette finesse de gravure (cf. « Les Cannon Lake d’Intel en 10 nm arriveraient en 2016 »), ce qui devient de plus en plus courant pour le fondeur américain qui adopte de nouvelles habitudes (cf. « Intel passerait du Tick Tock au Tick Tock Tock »). Son 7 nm devrait arriver en 2017, s’il n’est pas repoussé (cf. « Intel voit après le 10 nm »).

TSMC peut devancer Samsung s’il arrive à maintenir la cadence

Cette finesse de gravure semble redéfinir l’industrie. STMicroelectronics a décidé de ne pas investir dans le 10 nm et les terminaux mobiles toujours plus petits devraient grandement en profiter (cf. « L’Apple S1 utiliserait un Cortex A7 à 520 MHz »). Ce sera donc l’occasion pour TSMC de s’imposer auprès des fabricants qui auront besoin de gros volumes. La question est de savoir si le fondeur taïwanais ne souffrira pas de problèmes de rendement, comme il en a si souvent été victime et qui expliquent pourquoi Samsung reste un fondeur très prisé (cf. « Samsung montre son 1er wafer en 10 nm »).