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UMC a produit une puce SRAM à 45 nm

Le fondeur taiwanais UMC vient de franchir une importante étape dans la mise au point d’une technologie de production à 45 nm, en produisant une puce SRAM avec une cellule ayant une taille inférieure à 0,25 micron carré. Pour se faire, les ingénieurs d’UMC ont exploité les dernières technologies et matériaux à leur disposition dont, la lithographie par immersion, des diélectriques low-K, et des techniques améliorant la mobilité des électrons.

Une production pilote dans le courant de l’année prochaine

La production d’une cellule mémoire SRAM ne constitue qu’une étape vers la fabrication de puces plus complexes, la réduction de la finesse de gravure posant des défits aux fabricants de semiconducteurs, au niveau des timings de l’intégrité des signaux de la consommation électrique des courants de fuite, et de la fiabilité. UMC qui prévoit de lancer une production pilote à 45 nm dans le courant de l’année prochaine souligne que sa technologie à 45 nm lui a permis d’offrir une réduction de 50 % de la taille des cellules SRAM et un gain de performances de 30 %.

UMC est légèrement en retard sur son rival TSMC

A l’instar de son grand rival TSMC, UMC utilise des scanners de lithographie à immersion de 193 nm pour obtenir une finesse de gravure de 45 nm. L’été dernier TSMC annonçait avoir produit une puce de test à 45 nm composée de dix couches métalliques avec des portes ayant une longueur inférieure à 26 nm. TSMC a également appliqué une seconde génération de diélectrique low-K doté d’un coefficient K de 2,5 à 2,6. D’autres compagnies, telles IBM, Intel, Texas Instrument, Chartered Semiconductor, Samsung et Infineon ont récemment dévoilé des détails sur leurs procédés de fabrication à 45 nm. Les trois dernières compagnies citées ont conclu des alliances technologiques avec IBM pour développer ce processus de production.