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Un SSD à base de mémoire PCM atteint 3 millions d’IOPS

Image 1 : Un SSD à base de mémoire PCM atteint 3 millions d'IOPS

Nous parlions hier d’un SSD à base de mémoire DRAM chez PMC, et HGST a une autre solution intéressante pour augmenter les performances sur les accès aléatoires : utiliser de la mémoire PCM (de la mémoire à changement de phase). Cette mémoire électronique utilise un composant qui passe d’une forme cristalline à une forme amorphe très rapidement et qui peut donc être utilisé pour stocker des états binaires. La mémoire PCM est intéressante au niveau des performances, mais elle offre une densité très faible.

Le prototype de HGST utilise de la mémoire PCM de chez Micron, des puces de 1 gigabit (128 Mo) gravées en 45 nm. La carte elle-même utilise une interface PCI-Express 2.0 x4, ce qui permet une bande passante théorique de 2 Go/s. Sur des accès aléatoires, HGST indique qu’il est possible d’atteindre 3 millions d’IOPS, ce qui est largement au-delà de ce que peuvent atteindre les meilleurs SSD, qui dépassent difficilement 100 000 IOPS. HGST n’indique pas les débits séquentiels (qui doivent s’approcher de la limite de l’interface) ni la capacité de stockage : avec des puces de 1 gigabit, elle est a priori assez faible.

Comme pour les SSD à base de mémoire DRAM,c’est bien évidemment le monde professionnel qui est visé : il est intéressant d’utiliser une carte de ce genre comme mémoire cache, avec plusieurs étages dans le stockage : une solution très rapide de petite capacité comme mémoire cache, des SSD pour les données fréquemment utilisées et des disques durs pour les données « mortes », peu demandées.