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Une FeRAM bon marché : vers la fin de la DRAM ?

La science a trouvé un moyen de baisser les coûts de fabrication d’une FeRAM. Cette mémoire pourrait un jour remplacer la DRAM et transformer le fonctionnement de nos PC.

Une représentation de la FeRAM sur un substrat en siliciumUne représentation de la FeRAM sur un substrat en siliciumDes chercheurs de l’Institut de physique et technologie de Moscou, de l’université du Nebraska et de Lausanne en Suisse, ont trouvé une solution pour abaisser le coût d’une FeRAM (Ferroelectric RAM) encore expérimentale, mais ultra rapide. La cellule stockant l’information est composée d’un film ferroélectrique polycristallin en oxyde de hafnium de 2,5 nm. C’est le film le plus fin jamais mis au point, et les chercheurs ont aussi trouvé le moyen de l’apposer sur un substrat en silicium. Cela signifie que cette mémoire peut être maintenant fabriquée dans les usines d’aujourd’hui, ce qui abaisse considérablement ses coûts de production. La prochaine étape est de pouvoir la fabriquer en masse.

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Une mémoire « bipolaire »

Une mémoire en oxyde de hafnium est plus rapide qu’une DRAM utilisant un condensateur classique en raison de sa méthode de fonctionnement. Très schématiquement, le film ferroélectrique est pris en sandwich entre deux électrodes qui vont influencer sa polarité. Écrire dans la cellule est donc très rapide puisqu’il suffit d’envoyer un courant dans l’une ou l’autre des électrodes. Pour lire la cellule, il suffit d’envoyer un courant au travers du film en oxyde de hafnium pour mesurer sa résistance électrique. Une forte résistance équivaut à un bit 0 et une faible résistance à un bit 1.

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