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Une mémoire en oxyde de silicium

Image 1 : Une mémoire en oxyde de siliciumLa structure de la mémoire en oxyde de siliciumDes chercheurs de l’université Rice ont montré un proof of concept d’une mémoire en oxyde de silicium. Elle n’a qu’une capacité de 1 Ko, mais elle est plus dense, plus rapide et consomme moins que la mémoire Flash. La cellule mémoire est robuste avec un rapport on-off de 10 000 pour 1, ce qui laisse présager une durée de vie de 10 ans. L’un des grands défis, en plus de sa production en masse, sera sa miniaturisation. Ils ont publié leurs résultats dans la revue Advanced Materials.

Une nouvelle structure pour des résultats plus prometteurs

Lorsque l’électricité passe dans une couche d’oxyde de silicium, le courant écarte les molécules d’oxygène pour créer un canal purement en silicium de moins de 5 nm de largeur. Il est possible de ramener l’oxygène à l’aide d’un autre courant électrique, permettant ainsi de stocker un 1 ou un 0.

Pour dépasser les limites des mémoires traditionnels en oxyde de silicium, les chercheurs ont utilisé une diode qui évite une corruption des cellules mémoires voisines. La cellule est constituée d’une couche d’oxyde de silicium prise en sandwich entre deux couches de palladium. Le tout est apposé sur un support en aluminium combiné à une couche de silicium dopé qui agit comme une diode.