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Une nouvelle structure de MRAM

Image 1 : Une nouvelle structure de MRAM

Des chercheurs français et espagnols ont publié un article dans la célèbre revue Nature qui présente un système permettant d’écrire une cellule de MRAM sans avoir besoin d’une tête magnétique ou d’un système aussi complexe que les STT-MRAM. Les résultats sont pour le moins prometteurs.

La structure semble relativement simple. Une couche d’un nanomètre d’épaisseur de cobalt est prise en sandwich entre une couche de platine et un oxyde d’aluminium. Très schématiquement, lorsque le courant passe, des électrons restent emprisonnés dans le cobalt, ce qui en fait une mémoire non volatile. Il suffit de modifier l’intensité du courant pour passer d’une aimantation à l’autre. En effet, selon le schéma du communiqué de presse, une polarité pointant vers le sud équivaut à un 0, tandis qu’un mouvement vers le nord représente un 1.

Les résultats sont prometteurs, car le temps d’écriture d’une cellule de 200 nm2 est de 10 ns. Les chercheurs affirment qu’il serait possible de réduire la taille de la cellule et offrir de meilleures performances. Elle fonctionne aussi à température ambiante et pourrait être fabriquée en utilisant les processus lithographiques existants. La question est maintenant de savoir avec quelle facilité il est possible de passer à une production en masse.