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Voici un premier module mémoire Gen-Z de 256 Go

Il offre une bande passante de 30 Go/s mais une latence assez élevée de 400 ns.

On parle du bus d’interconnexion Gen-Z depuis pas mal de temps maintenant. Lors du Supercomputing 2019, un module mémoire de 256 Go de DRAM était exposé. Le dispositif, au format 3 pouces, offre une bande passante de 30 Go/s. C’est équivalent à de la mémoire DDR4-1866 en dual-channel.

Image 1 : Voici un premier module mémoire Gen-Z de 256 Go

Baptisé Gen-Z Memory Module, il utilise bien sûr une interface Gen-Z. Sa latence est de 400 ns. C’est plus élevé que de la DRAM classique et encore loin des 100 ns escomptés. Mais il est surtout conçu pour le stockage et les serveurs.

La compatibilité à l’échelle du rack

Image 2 : Voici un premier module mémoire Gen-Z de 256 Go

Un lien Gen-Z peut gérer jusqu’à 256 lignes, chacune annoncée jusqu’à 56 GT/s s’il n’y a pas trop de lignes. C’est 7 Go/s, contre 1 Go/s pour le PCIe 3.0 à titre de comparaison. Ce genre de produits permettraient aux clients d’installer un très grand nombre de modules sans avoir à se soucier de leur emplacement exact dans le système. En effet, le consortium Gen-Z, qui rassemble des grands noms du secteur comme AMD, SK Hynix, ARM ou encore Huawei, vise la « compatibilité à l’échelle du rack ». Enfin, notez que ce Gen-Z Memory Module, déniché par AnandTech, était un modèle factice.

Image 3 : Voici un premier module mémoire Gen-Z de 256 Go