La compétition sur le marché lucratif de la mémoire RAM pour l’IA a déjà conduit les fabricants à réduire leur production destinée au grand public afin de consacrer davantage de capacités à ces composants plus avancés et plus rentables.
Samsung Electronics et SK Hynix, les deux plus grands fabricants de mémoire flash NAND, travaillent à la modernisation de leurs usines situées en Chine afin d’y produire des puces plus avancées destinées aux centres de données dédiés à l’intelligence artificielle. C’est ce que rapporte l’agence Reuters, qui cite quatre sources proches des projets des deux entreprises. Cette initiative intervient alors que les deux groupes sud-coréens doivent composer avec une concurrence grandissante de la part de fabricants chinois de mémoire, notamment CXMT.
Des objectifs chiffrés pour chaque site
Selon les informations rapportées, Samsung Electronics prévoit de convertir son usine de Xian pour y produire des puces flash à 286 couches d’ici la fin de l’année. SK Hynix vise un objectif légèrement moindre avec des puces comptant 240 couches ou plus sur son site de Dalian. Cette usine avait été reprise par SK Hynix en 2021, mais le calendrier précis de ces nouvelles mises à niveau n’a pas été précisé.
L’usine de Xian représente environ 40% de la production mondiale de Samsung. Elle fabrique actuellement des puces d’environ 200 couches, et l’objectif de l’entreprise est de passer à 286 couches pour ses puces V9 NAND. Du côté de SK Hynix, le site de Dalian produit aujourd’hui des puces à 192 couches, et l’ambition de l’entreprise de passer à 240 couches a été confirmée par trois personnes proches du dossier.
Les restrictions américaines compliquent la donne
Si Samsung Electronics et SK Hynix disposent de moyens pour faire face à la montée en puissance des fabricants chinois, les deux entreprises doivent néanmoins composer avec des réglementations américaines supplémentaires. Des contrôles à l’exportation portant sur les équipements de fabrication de puces ont été mis en place en 2022, dans le but de freiner les progrès technologiques de la Chine. Les deux groupes, basés en Corée du Sud, doivent désormais obtenir des licences pour installer des équipements fabriqués aux États-Unis dans leurs usines chinoises.
Reuters souligne que cette contrainte constitue l’une des raisons de la croissance récente d’entreprises chinoises comme Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Cette dernière a indiqué lors d’une récente réunion de préparation à son introduction en bourse qu’elle visait à devenir le plus grand producteur mondial de mémoire flash NAND d’ici fin 2027.
Samsung et SK Hynix affirment travailler en concertation avec les autorités américaines. Il n’en demeure pas moins que cette étape supplémentaire a pu ralentir la capacité des deux entreprises à adapter leurs usines à la demande croissante en mémoire pour l’IA.
CXMT se diversifie vers le NAND
De son côté, CXMT, principal fabricant chinois de puces et plus grand producteur de DRAM du pays, cherche également à se positionner au-delà de la seule production de DRAM. Selon un rapport datant de septembre 2026, l’entreprise s’intéresserait à la production de mémoire NAND 3D destinée aux produits de stockage SSD.
CXMT a enregistré un chiffre d’affaires de 22,41 milliards de dollars et un bénéfice net de 11,57 milliards de dollars au premier semestre 2026, après plusieurs années de pertes. Malgré ces résultats, l’entreprise reste nettement plus petite que des acteurs tels que Samsung, SK Hynix ou Micron.
