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Samsung envisage de la mémoire V-NAND à 1000 couches

À plus court terme, la firme coréenne indique que ses SSD PCIe 4.0 et PCIe 5.0 avec de la mémoire V-NAND à 176 couches ne vont plus tarder.

Samsung a publié un article qui retrace l’histoire de la mémoire V-NAND (Vertical NAND, ou 3D NAND). Dans celui-ci, l’entreprise rappelle avoir devancé ses rivaux dans ce domaine : elle a lancé le premier SSD muni de mémoire 3D NAND en 2013. En 2021, la firme coréenne indique qu’elle ne tardera pas à commercialiser des dispositifs V-NAND à 176 couches de 7e génération. Cette génération concernera des SSD grand public en PCie 4.0 dans un premier temps, sans aucun doute cette année, puis en PCIe 5.0 un peu plus tard.

Image 1 : Samsung envisage de la mémoire V-NAND à 1000 couches

Cette V-NAND de 7e génération servira aussi pour des SSD destinés aux centres de données. Selon Samsung, cette génération peut contribuer à augmenter l’efficacité énergétique de 16 % par rapport la 6e génération.

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200 couches pour la 8e génération

Samsung indique aussi avoir déjà élaboré une puce fonctionnelle de sa solution V-NAND de 8e génération, laquelle comporte plus de 200 couches. La société « prévoit de la lancer sur le marché en fonction de la demande des consommateurs ». En général, de nouveaux types de dispositifs NAND sont introduits tous les 12 à 18 mois. La mémoire V-NAND de Samsung à plus de 200 couches pourrait ainsi débarquer fin 2022 ou début 2023.

À plus long terme, l’entreprise envisage carrément des puces V-NAND à plus de 1000 couche ; pour celle-ci, ni date ni numéro de génération en revanche. Il s’agit clairement d’une projection très lointaine, possiblement à une décennie. Une autre entreprise coréenne, SK Hynix, reste de son côté un peu plus modérée et table sur de la mémoire NAND 3D à 600 couches.

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Source : Samsung