Un SSD dans son téléphone.
Samsung annonce la production en série du premier Universal Flash Storage (UFS) 2.1 d’un téraoctet. Cela intervient seulement quatre ans après le lancement de la première solution UFS de 128 Go.
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Plus de capacité et plus de performances
D’une taille identique à la précédente version de 512 Go (11,5 mm x 13,0 mm), la solution UFS de 1 To empile 16 couches de mémoire flash V-NAND 512 Gb. Les performances sont également améliorées, avec une vitesse en lecture séquentielle pouvant atteindre 1000 Mo/s. La vitesse de lecture aléatoire augmente de 38 % par rapport à la version 512 Go, atteignant 58 000 IOPS. Samsung envisage d’étendre la production dans son usine coréenne de Pyeongtaek au cours du premier semestre 2019.
| Mémoire | Vitesse lecture séquentielle | Vitesse écriture séquentielle | Vitesse lecture aléatoire | Vitesse écriture aléatoire |
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Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000 Mo/s | 260 Mo/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
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Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860 Mo/s | 255 Mo/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
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Samsung eUFS 2.1 for automotive (Sept. 2017) | 850 Mo/s | 150 Mo/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
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Samsung 256GB UFS Card (July 2016) | 530 Mo/s | 170 Mo/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
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Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850 Mo/s | 260 Mo/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
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Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) | 350 Mo/s | 150 Mo/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 Mo/s | 125 Mo/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 Mo/s | 90 Mo/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 Mo/s | 50 Mo/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
