SK Hynix détaille sa mémoire DDR5-6400, pour 2020 ?

Lors de l’International Solid State Circuits Conference (ISSCC) à San Francisco, Dongkyun Kim, concepteur de puces chez SK Hynix, a présenté la mémoire vive DDR5 de l’entreprise. Celle-ci devrait débarquer à partir de 2020. Elle dispose d’une mémoire SDRAM de 16 Go à 6,4 Gbps qui fonctionne à 1,1 V et mesure 76,22 mm2. La DRAM est fabriquée via un processus « 1y nm », soit entre 14 et 16 nm.

Samsung reste évasif

Selon Dylan McGrath d’EETimes, la spécification DDR5 devrait offrir “le double de la bande passante et de la densité de la DDR4 tout en améliorant l’efficacité des canaux“.

Samsung était également présent, mais l’entreprise est restée discrète sur sa SDRAM LPDDR5 10 nm, censée atteindre 7,5 Gbps à 1,05 V. Jedec avait indiqué quelques jours plus tôt que la norme LPDDR5 « fonctionnera à terme à un taux d’E/S de 6400 MT/s, 50% plus élevé que celui de la première version de LPDDR4 ». Cela devrait logiquement augmenter « la vitesse et l’efficacité de la mémoire pour des applications telles que les smartphones, les tablettes et les ordinateurs portables ultra-minces ».