Samsung : une puce de 1 To de mémoire flash à 1 Go/s pour les smartphones

Un SSD dans son téléphone.

Samsung annonce la production en série du premier Universal Flash Storage (UFS) 2.1 d’un téraoctet. Cela intervient seulement quatre ans après le lancement de la première solution UFS de 128 Go.

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Plus de capacité et plus de performances

D’une taille identique à la précédente version de 512 Go (11,5 mm x 13,0 mm), la solution UFS de 1 To empile 16 couches de mémoire flash V-NAND 512 Gb. Les performances sont également améliorées, avec une vitesse en lecture séquentielle pouvant atteindre 1000 Mo/s. La vitesse de lecture aléatoire augmente de 38 % par rapport à la version 512 Go, atteignant 58 000 IOPS. Samsung envisage d’étendre la production dans son usine coréenne de Pyeongtaek au cours du premier semestre 2019.

MémoireVitesse lecture séquentielle
Vitesse écriture séquentielle
Vitesse lecture aléatoire
Vitesse écriture aléatoire
Samsung
1TB eUFS 2.1
(Jan. 2019)
1000 Mo/s 260 Mo/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
Samsung
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860 Mo/s 255 Mo/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 for automotive
(Sept. 2017)
850 Mo/s 150 Mo/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
Samsung
256GB UFS Card
(July 2016)
530 Mo/s 170 Mo/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
Samsung
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850 Mo/s 260 Mo/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung
128GB eUFS 2.0
(Jan. 2015)
350 Mo/s 150 Mo/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250 Mo/s 125 Mo/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250 Mo/s 90 Mo/s 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140 Mo/s 50 Mo/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS