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SK Hynix détaille sa mémoire DDR5-6400, pour 2020 ?

Une tension réduite encore, à 1,1 V.

Image 1 : SK Hynix détaille sa mémoire DDR5-6400, pour 2020 ?

Lors de l’International Solid State Circuits Conference (ISSCC) à San Francisco, Dongkyun Kim, concepteur de puces chez SK Hynix, a présenté la mémoire vive DDR5 de l’entreprise. Celle-ci devrait débarquer à partir de 2020. Elle dispose d’une mémoire SDRAM de 16 Go à 6,4 Gbps qui fonctionne à 1,1 V et mesure 76,22 mm2. La DRAM est fabriquée via un processus « 1y nm », soit entre 14 et 16 nm.

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Samsung reste évasif

Selon Dylan McGrath d’EETimes, la spécification DDR5 devrait offrir « le double de la bande passante et de la densité de la DDR4 tout en améliorant l’efficacité des canaux« .

Samsung était également présent, mais l’entreprise est restée discrète sur sa SDRAM LPDDR5 10 nm, censée atteindre 7,5 Gbps à 1,05 V. Jedec avait indiqué quelques jours plus tôt que la norme LPDDR5 « fonctionnera à terme à un taux d’E/S de 6400 MT/s, 50% plus élevé que celui de la première version de LPDDR4 ». Cela devrait logiquement augmenter « la vitesse et l’efficacité de la mémoire pour des applications telles que les smartphones, les tablettes et les ordinateurs portables ultra-minces ».

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