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SK Hynix : gravure en 1 anm de mémoire vive

La quatrième amélioration successive du nœud 10 nm en lithographie EUV, pour des puces de mémoire LPDDR4.

SK Hynix a annoncé le lancement officiel de la production de modules DRAM en 1 anm, gravés à l’aide de la technologie de lithographie EUV (Extreme Ultraviolet). Le premier produit à en profiter serait une barrette de mémoire LPDDR4 de 8 Go pour les appareils mobiles. Parmi les atouts d’un tel procédé, un débit jusqu’alors inatteignable pour ce type de puces, avec une pointe de vitesse à 4266 Mbps, une consommation énergétique en baisse, de l’ordre de 20 % en moins, et surtout une densité accrue de 25 % sur la barrette.

Image 1 : SK Hynix : gravure en 1 anm de mémoire vive

Gravure en 1 anm : une amélioration du noeud 10 nm en EUV

La gravure en 1 anm correspond à la quatrième itération du procédé de SK Hynix 10 nm pour la fabrication de DRAM, après les technologies 1x, 1y et 1z sur le même type de nœud. Du côté de SK Hynix, on table sur une amélioration rapide de la productivité et une réduction des coûts. « Avec une productivité et une compétitivité des coûts améliorées, « la DRAM 1 anm contribuera non seulement à garantir une rentabilité élevée, mais aussi à consolider le statut de SK hynix en tant que société technologique de premier plan avec l’adoption précoce de la technologie de lithographie EUV pour production », déclare Cho Youngmann, vice-président du groupe

Les nouvelles puces LPDDR4 de 8 Go sont attendues au troisième trimestre 2021. SK Hynix déclinera ensuite progressivement sa technologie 1 anm à la mémoire DDR5, dès le début de l’année prochaine.