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IBM dévoile le premier wafer gravé en 2 nm
Et promet à terme une autonomie quadruplée pour les smartphones ou encore des centres de données nettement moins énergivores.
Google détaille les VCU Argos qui équipent les serveurs YouTube
Des VCU très performants capables d’encoder les 500 heures de vidéo uploadées sur la plateforme chaque minute.
ARM présente ses plateformes Neoverse V1 et N2
Ainsi que son Coherent Mesh Network 700.
Asgard prévoit des barrettes DDR5-4800 de 128 Go d’ici 2022
La feuille de route de la société dévoilée.
Cerebras présente son Wafer Scale Engine V2 : 850 000 cœurs
Pas plus imposant que le Wafer Scale Engine V1, mais nettement mieux doté grâce au passage à une gravure en 7 nm.
OpenFive a conçu un SoC RISC-V gravé en 5 nm et doté de mémoire HBM3 à 7,2 Gbit/s
Le 5 nm n’est plus l’apanage des puces ARM.
Netac Technology planche sur de la DDR5-10000
Encore plus rapide que la DDR5-84000 de SK Hynix.
Pour le PDG d’Intel, avec son CPU Grace, NVIDIA suit le mouvement initié par Intel
Pat Gelsinger assure que son entreprise, loin d’être sur la défensive, est au contraire à l’offensive.
GTC 2021 : les principales annonces de NVIDIA
Au menu : des GPU « Ampere Next » prévus en 2022 ; un CPU Grave basé sur ARM ; de nouvelles cartes RTX professionnelles, une puce DRIVE Atlan ou encore des DPU BlueField.
Pour refroidir ses serveurs, Microsoft teste le ‘liquide bouillant’
Un liquide qui a comme particularité d’avoir un point d’ébullition à environ 50 degrés Celsius.
Tianshu Zhixin détaille son GPGPU Big Island en 7 nm
Ce GPGPU chinois est-il à la hauteur des Instinct MI100 d’AMD et A100 de NVIDIA ?
Intel envisagerait de nommer ses nœuds de gravure différemment
Parce que la finesse de gravure n’offre pas une densité de transistors équivalente selon les fondeurs.
Samsung a mis au point une barrette mémoire DDR5 de 512 Go
Un module DDR5 capable d’atteindre une vitesse de transfert de 7 200 Mbit/s.
Synopsys s’attaque déjà au PCI Express 6.0
L’entreprise lance une solution complète DesignWare pour le PCIe 6.0.
Samsung détaille son 3 nm MBCFET
Par rapport au 7 nm FinFET, le 3 nm MBCFET réduirait de 50 % la consommation.
