Le fondeur TSMC a profité de la présentation trimestrielle de ses résultats pour confirmer auprès de ses investisseurs que les développements de ses procédés de gravure en 3 nm et 2 nm étaient en bonne voie.
Le procédé N3 – pour une gravure en 3 nm – devrait ainsi entrer en production dès le second semestre 2022. Une version N3E améliorée de ce procédé de gravure, optimisant les performances et le rendement, devrait même être disponible dès l’année prochaine. Concernant la gravure en 2 nm, TSMC reste un peu plus évasif, indiquant tout de même que la production de puces via ce procédé de gravure est attendue pour 2025, avec une phase de pré-production dès 2024.
Des transistors GAA pour remplacer ceux en FinFET
Avec son procédé N2, le fondeur devrait pour la première fois faire appel à des transistors GAA (« Gate All-Around ») en lieu et place des transistors FinFET utilisés jusque là. La technologie n’est pas nouvelle, mais sa mise en œuvre complexe avait repoussé jusqu’à présent son utilisation industrielle en faveur du FinFET. En pratique, il s’agit « simplement » de passer d’une structure verticale pour les canaux à une structure horizontale en forme de feuilles afin d’éviter les effets capacitifs. Notons tout de même que Samsung a d’ores et déjà commencé à utiliser ce type de transistors GAA et qu’Intel devrait basculer vers cette technologie d’ici 2024.
Le segment HPC (calculs hautes performances) représente le marché le plus porteur pour TSMC, avec 41% des revenus totaux de l’entreprise au dernier trimestre, devant la branche smartphones qui représente 40% des revenus. Suivent les segments IoT et Automobiles avec respectivement 8% et 5% du chiffre d’affaires de TSMC. Au total, l’entreprise a annoncé que ses revenus trimestriels avaient atteint 17,6 milliards de dollars (+11,6%), avec des prévisions pour le trimestre à venir de l’ordre de 17,6 à 18,2 milliards de dollars.
Source : TechSpot
