Une bande passante par puce de 819 Go/s.
SK Hynix a récemment présenté sa DRAM HBM3 (High Bandwidth Memory 3), laquelle offrira un taux de transfert par broche de 6,4 Gbit/s contre 3,6 Gbit/s pour la HBM2E. Ces valeurs sont supérieures à celles avancées en juin dernier, puisqu’il était alors question de 5,2 Gbit/s. La société prévoit des puces d’une capacité de 16 Go et de 24 Go.
Les puces HBM3 de 24 Go consistent en un empilement de 12 dies d’environ 30 micromètres d’épaisseur, ce qui équivaut approximativement au tiers de l’épaisseur d’une feuille de papier A4 selon SK Hynix. Comme pour les précédentes générations de HMB, cet empilement vertical est rendu possible grâce à la technologie TSV (Through Silicon Via). La bande passante totale par puce atteint 819,2 Go/s contre 460,8 Go/s pour la HBM2E ; cela représente une hausse de 78 %.
SK Hynix : gravure en 1 anm de mémoire vive
De 256 Go/s à 819 Go/s en deux générations
Le tableau ci-dessous facilite la comparaison entre les différentes DRAM HBM de SK Hynix.
| Type DRAM | HBM3 | HBM2E | HBM2 |
| Capacité maximale | 24 Go | 16 Go | 8 Go |
| Bande passante maximale par broche | 6,4 Gbit/s | 3,6 Gbit/s | 2,0 Gbit/s |
| Nombre de dies par stack | 12 | 8 | 8 |
| Bus mémoire | 1024-bit | 1024-bit | 1024-bit |
| Tension | ? | 1,2 V | 1,2 V |
| Bande passante | 819,2 Go/s | 460,8 Go/s | 256 Go/s |
Seon-yong Cha, vice-président exécutif en charge du développement de la DRAM chez SK Hynix, déclare : “Depuis le lancement de la première DRAM HBM au monde, SK hynix a réussi à développer la première HBM3 du secteur après avoir été le leader du marché HBM2E. Nous allons poursuivre nos efforts pour consolider notre leadership sur le marché des mémoires haut de gamme et contribuer à stimuler les offres de nos clients en proposant des produits conformes aux normes de gestion ESG.”
La société ne donne pas de calendrier précis pour la suite, mais on peut supposer que la production de masse débutera en 2022.
Source : SK Hynix
