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C’est officiel, Intel renomme ses nœuds de gravure : l’Enhanced SuperFin 10 nm devient l’Intel 7

Intel 7, Intel 4, Intel 3, Intel 20A puis Intel 18A : une feuille de route ambitieuse avec un nœud de gravure par an jusqu’en 2025.

En avril dernier, un rapport évoquait la volonté d’Intel de nommer ses nœuds de gravure différemment. C’est désormais chose faite : l’entreprise change son système de dénomination pour ses nœuds internes de fonderie, afin de les rendre plus raccords avec ceux utilisés par Samsung et TSMC.

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Le nœud Enhanced SuperFin 10 nm est ainsi rebaptisé Intel 7. Il concerne les processeurs de 12e génération, les Adler Lake, ainsi que les processeurs Xeon Scalable de 4e génération, les Sapphire Rapids. Pour ces puces, il ne faudra donc plus parler de 10 nm mais d’Intel 7. Notez le choix l’entreprise de ne plus accoler l’unité nanométrique derrière le nombre. En conséquence, Intel communique désormais les gains performance / watt pour témoigner du saut générationnel plutôt qu’une hausse de la densité de transistors. Dans le cas de l’Intel 7, ce nœud offrirait un gain de 10 à 15 % de performance par watt par rapport au SuperFin 10 nm.

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Transistors RibbonFET

Le successeur de l’Intel 7, qui sera techniquement le premier nœud de gravure en 7 nm EUV, s’appellera Intel 4. Il promet une hausse de 20 % du rapport performance / watt par rapport à l’Intel 7. Il concernera les processeurs Meteor Lake, qui resteront, de fait, les premières puces grand public de la société gravées en 7 nm. Du côté des processeurs pour serveurs, l’Intel 4 sera utilisé pour les Granite Rapids. Production prévue en 2022.

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L’Intel 3 succédera à l’Intel 4 à partir du second semestre 2023. Intel prétend que ce nœud offre un gain de 18 % de performance par watt par rapport à l’Intel 4, grâce à diverses améliorations, mais se garde de préciser la taille des FET. En principe, ils seraient toujours en 7 nm.

Enfin, en 2024, Intel entrera dans une nouvelle ère, celle de l’Intel 20A, où l’unité de mesure ne sera plus le nanomètre mais l’ångström, une unité de longueur qui vaut 0,1 nanomètre. Vous l’aurez compris, 20A n’est donc qu’une manière plus « sophistiquée » de désigner du 2 nm. En revanche, comme chez Samsung à partir du 3 nm et chez TSMC à partir du 2 nm, cette finesse de gravure impliquera l’abandon des transistors FinFET au profit d’un nouveau type de transistors ; dans le cas d’Intel, ils s’appellent transistors RibbonFET. Apparemment, il reprennent eux aussi le concept de nano-feuilles.

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Intel 7 en 2021, Intel 4 en 2022, Intel 3 en 2023, Intel 20A en 2024, et enfin Intel 18A pour début 2025 : l’entreprise souhaite donc inaugurer un nouveau nœud de gravure chaque année jusqu’en 2025, avec un gain à deux chiffres pour le rapport performance / watt pour les quatre premiers. L’avenir nous dira si elle parvient à tenir ce plan pour le moins ambitieux.