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Samsung lance la production de puces DRAM DDR5 en 14 nm EUV

Une amélioration de la productivité et une réduction de la consommation d’énergie d’environ 20 % dans les deux cas.

Samsung a annoncé début de la production en masse de puces mémoire DDR5 à 5 couches à l’aide se son procédé de fabrication 14 nm EUV (D1a). L’entreprise n’indique pas à quel type de barrettes elles se destinent, mais prévoit à terme des modules en DDR5-7200 et des puces d’une densité de 24 Gb.

Image 1 : Samsung lance la production de puces DRAM DDR5 en 14 nm EUV

Dans son communiqué, la firme coréenne avance que ce procédé de fabrication en 14 nm EUV permet d’améliorer la productivité globale par wafer d’environ 20 % et de réduire la consommation d’énergie d’également 20 % par rapport aux puces DRAM de génération précédente. Durant les prochains mois, Samsung prévoit d’étoffer son catalogue de mémoire DDR5 en 14 nm à des applications de centres de données et de superordinateurs ainsi qu’aux serveurs d’entreprise.

Samsung détaille son module mémoire DDR5-7200 de 512 Go

De la DRAM à 5 couches

Actuellement, Samsung est la seule société qui produit de la DRAM DDR5 à 5 couches EUV. Elle propose aussi de la DDR4 fabriquées via EUV, sur son procédé D1x, depuis début 2020. Chez la concurrence, notamment SK Hynix, il existe de la LPDDR4 produite via un procédé EUV de classe 10 nm (1anm). Les puces DDR5 fabriquées à partir de cette technologie doivent arriver d’ici la fin de l’année. Du côté de Micron, les équipes commencent tout juste à travailler sur les machines EUV Twinscan NXE:3600 d’ASML et la lithographie EUV n’est pas prévue avant 2024 selon TH.US.

Pour en revenir à Samsung, Jooyounh Lee, vice-président sénior et responsable des produits et technologies DRAM chez Samsung Electronics, déclare : « Nous avons dominé le marché des DRAM pendant près de trois décennies en étant à l’origine d’innovations technologiques clés en matière de structuration. Dès à présent, Samsung pose un nouveau jalon technologique avec l’EUV multicouche qui a permis une miniaturisation extrême à 14 nm – un exploit impossible à réaliser avec le procédé conventionnel au fluorure d’argon (ArF). En nous appuyant sur cette avancée, nous continuerons à fournir les solutions de mémoire les plus différenciées en répondant pleinement au besoin de performances et de capacités accrues dans un monde axé sur les données de la 5G, de l’IA et du métavers. »

Sources : Samsung, Tom’s Hardware US