Le fondeur a mobilisé sa technologie InFO-LSI pour interconnecter les deux puces M1 Max.
En mars, Apple a présenté sa M1 Ultra, une puce qui combine deux M1 Max. L’interconnexion UltraFusion permet une bande passante de 2,5 To/s entre les deux puces. Pour y parvenir, TSMC, chargé de fabriquer le processeur en 5 nm, ne mobilise pas sa technologie d’empaquetage CoWoS-S (chip-on-wafer-on-substrate with silicon interposer) mais InFO_LSI (integrated fan-out with local silicon interconnect). La puce d’Apple est l’une des premières à en bénéficier.
Le packaging CoWoS-S de TSMC est une technologie éprouvée et utilisée par un certain nombre de clients du fondeur. Ce n’est pas le cas d’InFO, en phase de test depuis plusieurs années mais qui devait atteinte la phase de qualification au premier trimestre 2021. Quoi qu’il en soit, Tom Wassick, un professionnel de l’ingénierie du conditionnement des semi-conducteurs, a révélé sur son compte Twitter que la M1 Ultra était bien conçue à partir de cette technologie. Il détient ces informations de TSMC, obtenues dans le cadre de l’International Symposium on 3D IC and Heterogeneous Integration. Tom Wassick a aussi partagé la diapositive ci-dessus.
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Une solution moins onéreuse
Concrètement, la technologie InFO-LSI associe une interconnexion locale en silicium (LSI) et une couche de redistribution (RDL). Le principal avantage d’InFO-LSI par rapport à CoWoS-S est son coût moindre. Comme l’explique notre de Tom’s Hardware US, CoWos-S nécessite l’emploi d’interposeurs massifs entièrement en silicium et donc assez onéreux ; InFO_LI se contente d’interconnexions en silicium localisées. Le recours à la technologie CoWoS-S est justifiée pour certains produits nécessitant d’interconnecter de nombreuses puces, souvent avec de la mémoire HBM. Or, ce n’est pas le cas pour la M1 Ultra, qui combine “seulement” deux puces M1 Max, qui plus est sans mémoire HBM.
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Sources : Tom’s Hardware US, Itigic, AnandTech
