Les locaux sont prêts à accueillir les lignes de production.
Déjà en 2017, TSMC annonçait le 3 nm en 2022. Comme à son habitude, le fondeur taïwanais respectera son calendrier : la construction de son usine consacrée à cette finesse de gravure vient de s’achever ; la cérémonie d’inauguration a eu lieu mardi 24 novembre. L’usine se dresse dans le parc technologique Southern Taiwan Science Park, non loin de Tainan. Le site commencera la production de masse en N3 à partir du second semestre 2022.
Le début de la construction de cette usine, dont le coût est estimé à 19,5 milliards de dollars, soit environ 16,3 milliards d’euros, remonte à fin octobre 2019. Maintenant, TSMC doit déployer les équipements sur les lignes de production. Cette étape devrait prendre approximativement un an. Récemment, on a d’ailleurs appris que le fondeur avait commandé au moins 13 nouvelles machines EUV à son fournisseur ASML.
TSMC investit 3,5 milliards de dollars dans la construction d’une usine aux États-Unis
55 000 wafers par mois pour s’échauffer, puis 100 000
Lors de la cérémonie, Mark Liu, président exécutif de TSMC, a indiqué que l’usine visait une capacité de production initiale d’environ 55 000 wafers de 300 mm par mois. En 2023, le rendement doit atteindre 100 000 wafers mensuels, la productivité “ordinaire” d’une GigaFab du fondeur. Pour y parvenir, cette GigaFab intégrera sans doute les Fab 14 et Fab 18, la dernière n’étant encore que partiellement opérationnelle.
Enfin, en ce qui concerne l’aspect technique des process, le N3 de TSMC s’articule toujours autour de transistors FinFET. C’est seulement à partir du 2 nm que le fondeur abandonnera les FinFET pour passer aux transistors GAAFET (Gate-All-Around). Rappelons également que Samsung mise aussi sur le 3 nm en 2022, avec des transistors MBCFET.
Sources : DigiTimes, Taiwannews, Gizchina, Tom’s Hardware US
