Samsung gravera en 2 nm dès 2025, priorité aux puces pour smartphones

Samsung serait bientôt prêt à entamer la production de puces plus efficaces et performantes, utilisant un procédé de gravure en 2 nm. Celles-ci pourraient entrer dans la conception de SoC mobiles comme les Exynos et ainsi alimenter les futurs smartphones de l’entreprise.

Samsung puce 2nm 2025

Comme TSMC, qui espère produire des puces gravées en 2 nm d’ici 2025, Samsung voudrait également s’y attaquer. Le géant sud-coréen, lors du Samsung Foundry Forum, a affirmé sa volonté de lancer la production de masse de ces composants grâce à son processus de gravure 2 nm, le SF2.

Cette première génération de puces serait prête pour 2025, tandis qu’une version améliorée du processus, appelée SF2P, serait produite en 2026. Ainsi, les futurs smartphones Samsung pourraient bénéficier des avancées liées à ce procédé de gravure, notamment une amélioration de l’efficacité énergétique.

Malheureusement, cela ne concerne pas le prochain fleuron de la firme, le Galaxy S25. Celui-ci serait alimenté par l’Exynos 2500, une puce gravée en 3 nm. Les améliorations seront moindres que celles apportées par la future gravure de l’entreprise; néanmoins, le S25 serait malgré tout performant et moins énergivore que la génération précédente de mobiles (logiquement).

Les puces 2 nm de Samsung arrivent bientôt

Samsung puce 2nm 2025
©Samsung

Pour ce qui est de la gravure en 2 nm, les projets de l’entreprise sont très variés, incluant l’industrie du smartphone, de l’automobile et de l’intelligence artificielle. Par exemple, une version du nœud de gravure 2 nm, baptisée SF2X, prévue pour 2026, doit entrer dans la composition de puces IA et de calcul haute performance.

La quatrième génération, SF2Z, doit entrer en production de masse en 2027 et devrait apporter de plus amples améliorations de l’efficacité énergétique des puces grâce à l’introduction du BSPDN (backside power delivery network). Cette technologie de gravure devrait être la prochaine avancée notable après celle du GAAFET des puces 3 nm.

Le BSPDN est une technique où les lignes de distribution de l’alimentation d’une puce électronique sont placées sur sa face arrière. Les électrons traversent des lignes métalliques plus larges et moins résistives améliorant de ce fait l’efficacité énergétique et la gestion de chaleur en permettant une alimentation directe des transistors.

Enfin, pour terminer avec la gravure en 2 nm, SF2A serait dédiée à l’industrie automobile et prévue pour la même date. Il faut préciser également que le développement du procédé de gravure en 1,4 nm (SF1.4) suit son cours et devrait entrer en production en 2027.

Vers des smartphones plus performants et moins énergivores

Samsung puce 2nm 2025
©Samsung

En somme, Samsung semble enfin prêt à se lancer activement dans la confection de nouveaux semi-conducteurs plus performants et efficaces. Il est encore trop tôt pour que les consommateurs profitent des avancées de Samsung dans le domaine. Cependant, il est plus que probable que des produits intégrant des puces 2 nm fassent leur apparition d’ici quelques années.

Avec ce nouveau processus de gravure, Samsung semble vouloir offrir des puces haut de gamme à ses utilisateurs. Leur bande passante plus large et leur faible consommation énergétique promettent des appareils aux performances accrues.

En plus du processus de gravure en 2 nm, Samsung n’abandonne pas les finesses précédentes (3 nm et 4 nm). La gravure en 4 nm bénéficierait d’améliorations similaires, notamment sous la forme du processus SF4X dédié à l’IA. Un nœud inédit prévu pour 2025, SF4U, viserait quant à lui un gain global des performances des puces.

Enfin, SF3, la deuxième génération du processus en 3 nm, est apparemment prête pour la production de masse. Ce nœud de gravure, possiblement utilisé dans la confection de l’Exynos 2500, serait donc présent dans les Galaxy S25.

  • Samsung voudrait lancer la production de puces gravées en 2 nm d’ici 2025.
  • Celle-ci pourrait alimenter les futurs smartphones de la firme et les rendre plus efficaces.
  • Les nœuds de gravure en 3 nm et 4 nm vont être améliorés et le 1,4 nm est toujours prévu pour 2027.

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