Apple aurait aidé l’entreprise chinoise YMTC à débaucher des ingénieurs
Les manœuvres d'Apple en Chine moyennement appréciées par l'administration Biden ?
Samsung dévoile sa 8e génération de mémoire V-NAND
L’entreprise annonce le début de la production de masse de cellules TLC de 1 Tb.
Micron présente son processus DRAM 1β (1-beta) pour mémoire LPDDR5X-8500
Dernière étape avant le passage à l'EUV.
Memtest86+ est de retour après 9 ans d’absence
Une nouvelle version publiée ; la désormais avant-dernière remontait à 2013.
SK hynix présente une solution de mémoire computationnelle CXL
Quatre modules DDR de 128 Go et un SoC, offrant une "internalisation de certains calculs".
Samsung lance de la DRAM LPPD5X à 8,5 Gbit/s
L'entreprise proposait déjà de la LPPDR5X à 7,5 Gbit/s depuis mars.
De nouveaux noms et logos pour le bus USB, le SuperSpeed tire sa révérence
L'USB-IF modifie une nouvelle fois les logos et le nom des versions de l'USB et de l'USB Power Delivery.
Micron produit en masse de la mémoire GDDR6X à 21Gbps et 24 Gbps pour les GeForce RTX 40
La date de lancement des GeForce RTX 40-Series approchant, le constructeur Micron vient de lancer la production de masse de la mémoire GDDR6X qui sera utilisée par ces cartes.
SK Hynix détaille sa mémoire flash NAND 4D 238 couches
Une annonce qui fait suite à celle de Micron (mémoire 232 couches).
De la carte perforée à la mémoire flash : la grande histoire du stockage
L'histoire de l'informatique est souvent retracée à travers les progrès de la puissance de calcul des processeurs. Pourtant un CPU ne serait rien sans un moyen de stocker les données à traiter ou les programmes…
Samsung finalise sa GDDR6 à 24 Gbit/s
Cette DRAM sera prête pour la prochaine génération de GPU.
Nouveau record pour de la DDR5 : 10 552 MT/s
Déjà trois performances au-dessus des 10 000 MT/s.
SK Hynix lance la production de masse de HBM3
La mémoire de l'entreprise sud-coréenne équipera notamment les solutions H100 de NVIDIA.
MSI évoque la fonctionnalité d’OC de la mémoire AMD EXPO
Mais se trompe en renseignant la plage de TDP des processeurs Ryzen 7000 Zen 4.
GeIL lance des barrettes mémoire DDR5 refroidies par deux ventilateurs
Des barrettes de mémoire vive adaptées au changement climatique ?
Mémoire flash NAND : Micron et Western Digital tracent leur feuille de route
Micron va commencer à produire de la mémoire à 232 couches d'ici la fin d'année ; Western Digital se concentre sur sa 6e génération de BiCS NAND à 162 couches.
Crucial DDR5-4800 vs Kingston DDR5-5200 : faut-il craquer pour quelques MHz ?
La mémoire DDR5 se démocratise, se pose la question ultime à son sujet : faut-il payer plus cher un kit de DDR5 avec une fréquence élevée, ou est-ce inutile et il vaut alors mieux se…
AMD et l’overclocking mémoire DDR5 : RAMP ou EXPO ?
La technologie RAMP (Ryzen Accelerated Memory Profile) pourrait finalement s'appeler EXPO.
Corsair passe sa DDR5 Vengeance au format SO-DIMM avec des kits de 32 et 64 Go
Corsair dévoile ses premiers kits de mémoire DDR5 Vengeance au format SODIMM, destinés aux ordinateurs portables les plus récents.
SK Hynix dévoile sa mémoire GDDR6-AiM, capable de stocker et traiter les données
Susceptible de multiplier par 16 la vitesse de certains calculs et d'abaisser de 80 % la consommation d'énergie.
Thermaltake lance ses premiers modules de mémoire DDR5, jusqu’à 32 Go de DDR5-5600
Thermaltake présente ses premiers modules de mémoire DDR5 dans sa gamme TOUGHRAM RC, proposés en trois vitesses et disponibles exclusivement en une capacité de 32 Go (2 x 16 Go). Le catalogue actuel de modules…
De la mémoire DDR5 G.Skill Trident Z5 overclockée à 4778 MHz
De la DDR5-9560 en attendant la DDR5-10000.
Le JEDEC publie les spécifications officielles de la HBM3
Jusqu'à 819 Go/s et une tension de fonctionnement abaissée à 1,1 V.
AMD RAMP : l’équivalent du XMP pour les Ryzen 7000
RAMP, acronyme de Ryzen Accelerated Memory Profile.
SK Hynix a mis au point les premières puces DDR5 de 24 Gb
Des modules de 48 Go et 96 Go pour les serveurs.