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Samsung dévoile sa 8e génération de mémoire V-NAND

L’entreprise annonce le début de la production de masse de cellules TLC de 1 Tb.

Samsung a annoncé le début de la production de masse de sa mémoire NAND TLC (triple-level cell) à 236 couches. L’entreprise coréenne la définit comme sa mémoire V-NAND (Vertical NAND) de 8e génération.

Image 1 : Samsung dévoile sa 8e génération de mémoire V-NAND
© Samsung

Samsung produit pour l’instant des puces d’une capacité de 1 Tb (128 Go). Selon la société, cette génération autorise un débit de 2,4 Gbit/s, ce qui représente une hausse de 20 % par rapport à la précédente. “Cela permettra à la nouvelle V-NAND de répondre aux exigences de performance de PCIe 4.0, et plus tard, de PCIe 5.0” explique Samsung dans son communiqué. Toujours selon la marque, cette “V-NAND de huitième génération devrait servir de pierre angulaire pour les configurations de stockage qui contribueront à accroître la capacité de stockage des serveurs d’entreprise de la prochaine génération, tout en étendant son utilisation au marché automobile, où la fiabilité est particulièrement importante”. Ce sont les seuls détails communiqués par Samsung pour le moment.

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Déclaration

SungHoi Hur, vice-président exécutif de Flash Product & Technology chez Samsung Electronics, a déclaré : “Comme la demande du marché pour un stockage plus dense et de plus grande capacité pousse à augmenter le nombre de couches V-NAND, Samsung a adopté sa technologie avancée de mise à l’échelle 3D pour réduire la surface et la hauteur, tout en évitant les interférences de cellule à cellule qui se produisent normalement avec la mise à l’échelle. Notre V-NAND de huitième génération contribuera à répondre à la demande rapidement croissante du marché et nous permettra de mieux nous positionner pour proposer des produits et des solutions plus différenciés, qui seront à la base même des futures innovations en matière de stockage.”

Source : Samsung