TSMC célèbre l’expansion de la Fab 18 et le début de la production en volume en 3 nm

Une cérémonie pour une usine située à Taïwan, où étaient notamment conviés le vice-premier ministre Shen Jong-chin, le ministre des Affaires économiques Wang Mei-hua, ainsi que le ministre des Sciences et de la Technologie Wu Tsung-tsong.

Le 29 décembre, TSMC a organisé une cérémonie pour célébrer le début de la production en volume et l’extension de ses capacité en 3 nanomètres dans sa nouvelle Fab 18 située dans le parc scientifique du sud de Taïwan (STSP). Le fondeur rapporte “une production en volume avec de bons rendements” ; il estime “que la technologie 3 nm permettra de créer des produits finis d’une valeur marchande de 1,5 billion de dollars américains dans les cinq années à venir”.

Image 1 : TSMC célèbre l'expansion de la Fab 18 et le début de la production en volume en 3 nm
© TSMC

Cette usine contient une salle blanche d’une surface de 58 000 mètres carrés, ce qui est environ “le double de la taille d’une fabrique de circuits logiques standard” selon TSMC. Elle va contribuer à la création de 23 500 emplois, dont 11 300 emplois directs dans le domaine de la haute technologie. Outre cette expansion des capacités 3 nm à Taiwan, TSMC construit également une usine consacrée au 3 nm aux États-Unis, dans l’Arizona.

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Un nouveau centre mondial de R&D

TSMC a également annoncé que son nouveau centre mondial de R&D, situé dans le parc scientifique de Hsinchu, ouvrira officiellement ses portes au deuxième trimestre de 2023 et comptera 8 000 employés.

TSMC prépare également ses usines de fabrication de 2 nm, qui seront situées dans les parcs scientifiques de Hsinchu et du centre de Taiwan, avec un total de six phases, lesquelles “se déroulent comme prévu”.

Mark Liu, président de TSMC, a présidé la cérémonie. Parmi les invités de marque, citons le vice-premier ministre Shen Jong-chin, le ministre des Affaires économiques Wang Mei-hua, ainsi que le ministre des Sciences et de la Technologie Wu Tsung-tsong.

Innovation et environnement

Dans son communiqué, le fondeur met en avant deux aspects : le respect de l’environnement et les avancées qu’apporte le 3 nm.

Concernant le premier, le fondeur assure que tous ses sites STSP “respectent les normes de certification de construction écologique EEWH de Taiwan et LEED des États-Unis”. En outre, “les installations utiliseront les ressources en eau de l’usine de recyclage des eaux de TSMC STSP pour atteindre progressivement l’objectif de l’entreprise d’utiliser 60 % d’eau recyclée d’ici 2030”. Enfin, “lorsque la production en volume commencera, la Fab 18 utilisera 20 % d’énergie renouvelable […]”.

Au sujet du processus 3 nm, TSMC argue que c’est la “technologie de semi-conducteurs la plus avancée en termes de puissance, de performance et de densité”. Concrètement, par rapport au processus 5 nm (N5), le 3 nm du fondeur améliore jusqu’à 1,6X la densité logique et offre une réduction de consommation de 30-35 % à fréquence identique.

Source : TSMC

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