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Micron présente son processus DRAM 1β (1-beta) pour mémoire LPDDR5X-8500

Dernière étape avant le passage à l’EUV.

Micron a commencé les expéditions d’échantillons de qualification de dispositifs DRAM basés sur le processus de gravure 1β (1-beta), notamment auprès de certains fabricants de smartphones. Selon l’entreprise, cette DRAM 1β (1-beta) offre “des gains significatifs en matière de performance, de densité de bits et d’efficacité énergétique qui auront des retombées importantes sur le marché”. Concrètement, la mémoire 1β LPDDR5X offre des vitesses maximales de 8,5 Gbit/s.

Image 1 : Micron présente son processus DRAM 1β (1-beta) pour mémoire LPDDR5X-8500
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Image 2 : Micron présente son processus DRAM 1β (1-beta) pour mémoire LPDDR5X-8500
Image 3 : Micron présente son processus DRAM 1β (1-beta) pour mémoire LPDDR5X-8500

Le processus de fabrication 1β de Micron utilise la porte HKMG (high-K metal gate) de 2e génération. Il augmente de 35 % la densité binaire et améliore de 15 % l’efficacité énergétique par rapport à un dispositif DRAM similaire fabriqué sur le nœud 1α de l’entreprise. Les économies d’énergie sont également rendues possibles par la mise en œuvre de nouvelles techniques JEDEC d’extensions dynamiques de tension et de fréquence (eDVFSC) sur cette LPDDR5X. Les premiers produits seront des modules mémoire LPDDR5X-8500 de 16 Go, mais Micron destine cette DRAM à de nombreux autres secteurs. “Au-delà du mobile, cette DRAM 1β à faible latence, à faible consommation et à haute performance est essentielle pour prendre en charge les applications hautement réactives, les services en temps réel, la personnalisation et la contextualisation des expériences, des véhicules intelligents aux centres de données”.

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Le choix de ne pas recourir à l’EUV

Le 1β (1-beta) est le dernier processus de fabrication de l’entreprise à s’appuyer sur la lithographie DUV (deep ultraviolet lithography). Les prochains nécessiteront le passage à l’EUV (lithographie extrême ultraviolet), utilisée par des entreprises comme SK Hynix ou Samsung.

L’entreprise explique :

“Le nœud 1β de Micron, une première dans l’industrie, permet une plus grande capacité de mémoire dans une plus petite empreinte, ce qui permet de réduire le coût par bit de données. La mise à l’échelle des DRAM a été largement définie par cette capacité à fournir une mémoire plus importante et plus rapide par millimètre carré de surface de semi-conducteur, ce qui nécessite de réduire les circuits pour faire tenir des milliards de cellules de mémoire sur une puce de la taille d’un ongle. Depuis des décennies, l’industrie des semi-conducteurs rétrécit les dispositifs tous les ans ou tous les deux ans avec chaque nœud de processus. Cependant, à mesure que les puces deviennent plus petites, la conception de schémas de circuits sur les wafers exige de défier les lois de la physique.

Alors que l’industrie a commencé à se tourner vers un nouvel outil qui utilise la lumière ultraviolette extrême pour surmonter ces défis techniques, Micron a exploité ses compétences éprouvées en matière de nanofabrication et de lithographie de pointe pour se passer de cette technologie encore émergente. Cela implique l’application des techniques avancées de multi-modélisation et des capacités d’immersion exclusives de la société pour modeler ces dispositifs minuscules avec la plus grande précision. La plus grande capacité offerte par cette réduction permettra également aux appareils à petits facteurs de forme, tels que les smartphones et les appareils IoT, d’intégrer davantage de mémoire dans des espaces réduits.”

Source : Micron