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Kioxia dévoile les premiers dispositifs UFS utilisant l’interface MIPI M-PHY v5.0

Jusqu’à 46,45 Gbit/s en mode HS-Gear5, pour des vitesses de lecture et d’écriture séquentielles améliorées de 90 % et 70 % par rapport à la précédente génération.

Kioxia annonce une nouvelle génération de dispositifs UFS (Universal Flash Storage) prenant en charge l’interface MIPI M-PHY 5.0. Basés sur la mémoire flash 3D BiCS, ils seront proposés dans des capacités de 128 Go, 256 Go et 512 Go.

Image 1 : Kioxia dévoile les premiers dispositifs UFS utilisant l'interface MIPI M-PHY v5.0

Selon l’entreprise, ces dispositifs offrent une vitesse théorique de 23,2 Gbit/s sur une voie (2,9 Go/s), soit 46,4 Gbit/s (5,8 Go/s) sur deux voies en mode HS-GEAR5. Kioxia rapporte que les performances de lecture et d’écriture séquentielles du dispositif de 256 Go sont améliorées d’environ 90 % et 70 % respectivement par rapport aux dispositifs de la génération précédente ; les performances de lecture et d’écriture aléatoires d’environ 35 % et 60 %, respectivement.

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Le 256 Go dès à présent, les autres capacités à partir d’août

Dans les faits, en raison du codage 8b/10b, la bande passante réelle avoisinera plutôt 1,8 Go/s sur une ligne et 3,75 Go/s sur deux lignes. Ce sont des débits à peu près comparables à ceux délivrés par un SSD en PCIe 4.0 x2. Précisons que ces dispositifs UFS sont principalement utilisés pour les smartphones, tablettes et PC portables. Koxia commence l’échantillonnage de dispositifs de 256 Go aujourd’hui ; les autres capacités sont programmées pour plus tard, à partir d’août. Dans tous les cas, n’attendez pas les premiers équipements dotés de mémoires UFS M-PHY 5.0 avant l’année prochaine, au plus tôt.

Scott Beekman, vice-président de l’unité commerciale Mémoire de KIOXIA America, Inc., se félicite : “Nous sommes heureux d’annoncer une autre première dans le domaine de la mémoire UFS. Cette nouvelle génération d’UFS offre une augmentation significative des performances, permettant aux smartphones et autres produits de prochaine génération d’améliorer leurs capacités et l’expérience de l’utilisateur final. À l’avenir, nous continuerons à piloter ces avancées, en maintenant notre rôle de leader en matière de mémoire UFS.”

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Sources : Koxia, Tom’s Hardware US