Samsung a débuté la livraison d’échantillons de mémoire LPDDR6X à Qualcomm pour le développement de son futur accélérateur d’IA « AI250 », dont la capacité mémoire devrait dépasser 1 To pour une disponibilité commerciale estimée vers la fin 2027 ou début 2028.
Samsung a transmis à Qualcomm des échantillons de sa mémoire LPDDR6X, la prochaine génération de mémoire vive mobile, alors que le standard LPDDR6 n’a pas encore été lancé en production de masse. L’information, rapportée le 12 février 2026 par le média sud-coréen The Bell, illustre l’accélération de la course à la mémoire haute performance dans le secteur de l’intelligence artificielle.
Une livraison d’échantillons en amont du calendrier industriel
Alors que les prix de la DDR5 explosent, Samsung avance sur le futur. Selon les informations publiées par The Bell, Samsung a expédié des échantillons fonctionnels de puces mémoire LPDDR6X à Qualcomm. Cette livraison intervient alors que le standard LPDDR6, qui précède le LPDDR6X dans la feuille de route technologique, n’a pas encore atteint le stade de la production de masse. Samsung aurait achevé le développement du LPDDR6 et prévoit de lancer sa fabrication en volume afin de respecter un objectif de mise sur le marché au second semestre 2026.
Le LPDDR6X constitue une version avancée du standard LPDDR6. Toutefois, les spécifications techniques de cette norme n’ont pas encore été finalisées par le JEDEC, l’organisme international chargé de définir les standards de mémoire. Des précisions supplémentaires sont attendues au cours de l’année 2026.
LPDDR6 : les caractéristiques annoncées
Avant d’aborder le LPDDR6X, il convient de situer le LPDDR6, dont les caractéristiques techniques sont davantage documentées à ce stade. Selon les données disponibles :
- Vitesse initiale : 10,7 Gbps par broche.
- Efficacité énergétique : une amélioration annoncée de 21 % par rapport au standard LPDDR5 actuellement en circulation.
- Évolutions ultérieures : des variantes améliorées du LPDDR6 sont attendues, avec des débits dépassant les 14,4 Gbps.
La production de masse des modules de LPDDR6 par Samsung vise un démarrage compatible avec une disponibilité commerciale durant la seconde moitié de l’année 2026.
Qualcomm a de grands projets pour l’IA, avec de la RAM
L’intérêt de Qualcomm pour le LPDDR6X s’inscrit dans le cadre du développement de ses puces dédiées à l’intelligence artificielle. Selon les informations rapportées, les échantillons de LPDDR6X sont destinés à être intégrés dans un futur accélérateur IA désigné sous le nom de code “AI250”.
Ce composant doit succéder à l’AI200, un accélérateur IA que Qualcomm prépare pour l’année en cours et qui exploite déjà le standard de mémoire LPDDR. Les deux puces, AI200 et AI250, sont conçues pour traiter des charges de travail d’inférence IA, c’est-à-dire l’exécution de modèles d’intelligence artificielle déjà entraînés, par opposition à la phase d’entraînement.
Capacités mémoire annoncées
Les données sources indiquent les capacités mémoire suivantes pour les deux générations d’accélérateurs Qualcomm :
| Puce | Standard mémoire | Capacité attendue |
|---|---|---|
| AI200 | LPDDR (génération non précisée) | Jusqu’à 768 Go |
| AI250 | LPDDR6X | Supérieure à 1 To |
Le passage à des capacités dépassant le téraoctet de mémoire LPDDR pour l’AI250 constituerait une montée en gamme notable pour les solutions de Qualcomm dans le segment des centres de données.
Le choix du LPDDR face au HBM : un arbitrage coût-performance
Le recours au standard LPDDR dans les accélérateurs IA de Qualcomm s’explique par un positionnement économique distinct de celui adopté par d’autres acteurs majeurs du secteur. Les données sources rappellent que NVIDIA, AMD, Huawei et d’autres fabricants de puces pour centres de données privilégient la mémoire HBM (High Bandwidth Memory), un standard qui présente des avantages en termes de bande passante brute.
Cependant, le HBM comporte plusieurs contraintes :
- Coût de production élevé : la mémoire HBM est plus onéreuse à fabriquer que le LPDDR, en raison notamment de son packaging complexe (empilement de puces), de ses exigences de validation et de test.
- Consommation énergétique : le HBM requiert davantage d’énergie.
- Disponibilité : le secteur fait face à une pénurie de DRAM HBM, ce qui complique l’approvisionnement pour les fabricants de puces.
Le LPDDR offre un coût inférieur et une chaîne de production moins contraignante. Si le HBM reste plus rapide en termes de débit pur, le LPDDR représente une option pertinente pour des solutions IA orientées vers la maîtrise des coûts, selon l’analyse présentée dans les données sources.
Cette approche n’est pas exclusive à Qualcomm. Les données sources établissent un parallèle avec les GPU Crescent Island d’Intel, basés sur l’architecture Xe3P, qui utilisent également le standard LPDDR plutôt que le HBM. Les deux approches partagent une logique commune : exploiter la mémoire LPDDR pour des charges de travail d’inférence IA où le rapport coût-performance prime sur la bande passante maximale.
Un horizon commercial situé entre fin 2027 et début 2028
Malgré la livraison d’échantillons à Qualcomm, la mémoire LPDDR6X reste à un stade précoce de développement. Les spécifications du standard n’ont pas été arrêtées par le JEDEC, et la disponibilité commerciale de cette technologie n’est pas attendue avant fin 2027 ou début 2028, selon les estimations rapportées.
Ce calendrier implique que l’accélérateur AI250 de Qualcomm, qui devrait intégrer cette mémoire, ne serait pas commercialisé avant cette échéance. La livraison actuelle d’échantillons relève du processus habituel de validation croisée entre fabricants de mémoire et concepteurs de puces, qui précède de plusieurs mois — voire de plusieurs années — la mise en production finale.
