TSMC : la production de masse en 3 nm commencera ‘sous peu’

Le Nikkei Asia confirme que TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) va bientôt lancer sa production de masse pour le procédé N3 (3 nm). C.C. Wei, le PDG de l’entreprise, a fait cette confidence hier. Les rumeurs évoquent depuis longtemps le mois de septembre ; C.C. Wei se garde toutefois de renseigner une date précise et se limite à évoquer une fabrication à grand volume de puces en 3 nm “sous peu”.

Une fois n’est pas coutume, Samsung a donc devancé son rival de quelques semaines pour ce procédé de gravure ; resterait à connaître avec quel rendement et dans quelle proportion. Parmi les clients de TSMC pour le 3 nm, le principal qui vient à l’esprit est bien sûr Apple. Certains soupçonnent la marque à la pomme de préparer de nouvelles puces Apple Silicon basées sur ce nœud de gravure : possiblement des M2 Pro ou Max (la M2 est toujours conçue sur le nœud 5 nm, comme la M1 et ses nombreuses variantes). Plus tard, le fondeur taïwanais devrait également produire en N3 pour AMD, NVIDIA, Intel, ou encore Mediatek voire Qualcomm (l’entreprise américaine a délaissé Samsung pour son Snapdragon 8+ Gen1).

Les améliorations par rapport au N5

Nous avons déjà détaillé les améliorations apportées par le N3 par rapport au N5 dans de précédentes actus mais pour mémoire, ce procédé améliore de 10 à 15 % les performances à puissance égales, réduit de 25 à 30 % la consommation (à fréquences et quantité de transistors identiques) ; quant à la densité logique, elle augmente de 1,6x.

TSMC complétera la famille N3 par davantage de nœuds au fil des mois, dont le N3E. Outre les gains évoqués ci-dessus, le fondeur taïwanais met en avant sa technologie FinFlex offrant une meilleure flexibilité pour les concepteurs de puces.

Enfin, contrairement à Samsung, le N3 de TSMC repose toujours sur des transistors FinFET.

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Source : Nikkei Asia