composants

Samsung présente trois puces destinées au secteur automobile

Notamment l’Exynos Auto T5123 pour la 5G et l’Exynos Auto V7 pour les systèmes d’info-divertissement embarqués.

Samsung officialise la construction d’une usine à 17 milliards de dollars au Texas

Premier coup de pioche au cours du premier semestre 2022, pour une installation opérationnelle à partir du second semestre 2024.

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Samsung Foundry veut tripler sa capacité de production d’ici 2026

Pour y parvenir, elle va notamment construire une nouvelle usine aux États-Unis.

TSMC ajoute un nœud de gravure, le N4P

Troisième amélioration majeure de la famille 5 nm aux dires de TSMC.

Marvell présente ses DPU Octeon 10 et commutateur Prestera DX 7321 en 5 nm

Un DPU qui embarque jusqu’à 36 cœurs Neoverse N2 à 2,5 GHz.

Samsung : le 3 nm l’année prochaine, le 2 nm en 2025

Le fondeur coréen amorce la transition vers des transistors GAA.

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Le PCIe 6.0 passe en version 0.9, ultime étape avant sa finalisation

Aucun changement majeur ou nouvelles fonctionnalités ne peuvent être apporté ni ajoutées désormais.

Finalement, la nouvelle version de la PlayStation 5 serait mieux refroidie que l’ancienne

Une température en baisse de plus de 10 °C pour le SoC, mais des VRM et de la VRAM plus chauds.

Google développe ses propres processeurs pour Chromebook

La stratégie d’émancipation de Google en matière de puces ne se limitera pas aux seuls smartphones Pixel.

La Chine a produit 31,6 milliards de circuits intégrés en juillet, un nouveau record

Ce sont désormais 203,6 milliards de circuits intégrés qui ont été fabriqués depuis le début d’année, soit une hausse de 47,3 % par rapport à 2020.

Démontage complet de la Xbox Série S en vidéo

La plus petite et la plus efficace des consoles Xbox.

Malgré la pénurie, Sony a de quoi produire 12 millions de PS5 supplémentaires d’ici fin mars 2022

Mais rien ne garantit que vous puissiez en obtenir une.

TSMC projette de construire une usine en Allemagne

L’Allemagne, future terre d’accueil des fondeurs ?

SK Hynix : gravure en 1 anm de mémoire vive

La quatrième amélioration successive du nœud 10 nm en lithographie EUV, pour des puces de mémoire LPDDR4.