Mémoires

Et mentionne aussi de la mémoire à 8 bits par cellule.

À plus court terme, la firme coréenne indique que ses SSD PCIe 4.0 et PCIe 5.0 avec de la mémoire V-NAND à 176 couches ne vont plus tarder.

Des modules DDR4-4000 en CL 14-15-15-35 à 1,55 V et DDR4-3600 en CL 14-14-14-34 à 1,45 V.

L’entreprise évoque des modules de 128 Go et une vitesse de 6400 MHz.

La feuille de route de la société dévoilée.

Encore plus rapide que la DDR5-84000 de SK Hynix.

De 16 à 64 Go, pour des fréquences allant de 3200 à 5333 MHz.

Réalisé par Kovan Yang avec une carte mère MSI MEG Z590I UNIFY et un processeur Intel Core i9-11900KF.

Un module DDR5 capable d’atteindre une vitesse de transfert de 7 200 Mbit/s.

De la mémoire LPDDR5-6400 pour les smartphones et ordinateurs portables.

Un module de 64 Go pour l’instant, à 4 800 MT/s avec une tension de 1,1 V.

Une mémoire munie de ses propres unités de calcul, pour des systèmes jusqu’à deux fois plus performants et consommant 70 % d’énergie en moins.

Différents kits en DDR4-3600, DDR4-3800 et DDR4-4000.

Un fonctionnement synchrone entre la FLCK la MCLK à 2000 MHz.

Une expérience complète pour mesurer les temps de lancement, chargement, et fréquences d’images.

Elles fonctionnent à des fréquences comprises entre 4 800 et 5 600 MHz

Même la RTX 2080 Ti n’est pas assez armée

Des barrettes plus rapides, plus denses et moins énergivores que celles en DDR4.

Un module de 8 Go en DDR4-2400 élaboré par l’entreprise Xi'an UniIC Semiconductors.

La génération de processeurs sous architecture Zen4 devraient apporter de nombreux changements.

De meilleures capacités et des fréquences plus élevées, ainsi qu’une tension abaissée à 1,1 V.

Petit bilan du Flash Memory Summit pour la marque.

Le marché est à son plus bas niveau depuis 2009.

Des fréquences élevées ne veulent pas forcément dire de meilleures performances !

Mais sans grand impact sur les performances, a priori.