Samsung veut doubler la capacité des SSD avec de la V-NAND sur 48 couches

Samsung vient d'annoncer une évolution sa mémoire flash V-NAND 3D avec la 3ème génération. Cette fois-ci, le géant coréen utilise non plus 32 couches de matériaux comme sur la 2ème génération, mais 48 couches empilées verticalement exactement comme Toshiba sur nouvelle mémoire BiCS. Samsung continue toutefois d'avoir recours à de la mémoire TLC (Triple Level Cell) pour stocker 3 bits par cellule, en lieu et place de 2 bits par cellule avec la MLC et un seul bit avec la SLC. Avec la TLC, chaque cellule de mémoire doit alors être capable de gérer huit niveaux de tensions différents, avec des performances un peu moins bonnes et une durée de vie un peu plus faible.

L'utilisation de 48 couches de mémoire TLC permet à Samsung d'annoncer la mise en route de la production de masse d'une puce de 32 Go de mémoire flash V-NAND 3D contre 16 Go pour la version précédente de la V-NAND du coréen. Un doublement de la densité qui se ressent sur la consommation puisque Samsung avance une consommation réduite de 30%. Cette nouvelle densité devrait également se répercuter sur le prix des SSD qui devraient être revus à la baisse avec ce nouveau type de mémoire. Samsung précise également que cette nouvelle mémoire V-NAND permettra de produire des SSD d'une capacité plus élevée, de plusieurs téraoctets. On imagine alors facilement des SSD 850 EVO qui pourraient passer à 4 To contre 2 To actuellement.


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  • En espérant que le prix ne sera pas multiplié par deux lui aussi.
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