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De la mémoire MRAM à la place de la flash dans les prochains SoC Samsung/NXP

L’heure des nouvelles mémoires a sonné.

Image 1 : De la mémoire MRAM à la place de la flash dans les prochains SoC Samsung/NXP

Alors qu’Intel vient de commencer la commercialisation de sa mémoire 3D XPoint, alias Optane, un autre fondeur s’apprête à produire en grand volume une mémoire de technologie inédite. À partir de l’an prochain, Samsung intégrera de la MRAM dans certains de ses SoC.

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Plus rapide, plus compacte que la flash

La MRAM, ou Magnetoresistant Random Access Memory, fait l’objet de recherches depuis de plus d’une décennie, et est produite à petite échelle depuis quelques années. Samsung entend passer à la vitesse supérieure et va proposer aux entreprises faisant appel à ses services de fondeur de remplacer la mémoire flash couramment utilisée par de la MRAM. Non volatile, mais plus rapide que la Flash, la MRAM a aussi l’avantage d’être plus facile à fabriquer.

Le premier client serait NXP (anciennement Philips Semiconductors, qui a racheté Freescale et fut à son tour racheté par Qualcomm l’an dernier pour 47 milliards de dollars), qui utiliserait la MRAM dans ses microcontrôleurs i.MX pour objets connectés.