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Le labo français CEA-Leti fait un bond en avant sur la techno microLED

Des écrans beaucoup plus efficaces, notamment pour les smartphones et les montres.

Image 1 : Le labo français CEA-Leti fait un bond en avant sur la techno microLED

Le laboratoire CEA-Leti affirme pouvoir produire des écrans microLED résolvant les limites de puissance des technos à matrice active TFT actuelles. L’idée consiste à exploiter une techno développée en interne pour de nombreuses applications : le GaN-sur silicium (GaN-on-Si), qui consiste à fabriquer des architectures de diodes et transistors en nitrure de gallium (GaN) au sein d’un circuit CMOS sur une plaquette de silicium. De quoi encaisser de fortes puissances d’alimentation sans broncher.

Des microLED tout-en-un

L’idée n’en est pour l’instant qu’au niveau du proof of concept, mais les premiers circuits GaN-on-Si sortiront de la ligne de production de plaquettes de 200 mm du R&D du CEA l’année prochaine, exploitée par STMicroelectronics.

Voilà qui pourrait mener à l’arrivée d’écrans microLED à haute performance dans le commerce, pour les montres connectées, mais aussi pour les téléviseurs. Des écrans offrant un meilleur rendement énergétique, avec une meilleure luminosité et une résolution plus élevée. Et surtout avec la rapidité nécessaire au contrôle de millions de pixels. C’est ici que la techno classique TFT trouve des difficultés à encaisser la puissance électrique nécessaire pour ce type d’application.

Ce procédé de fabrication consiste à fixer directement des microLED GaN sur du silicium, au sein d’une seule ligne de production. Une question reste toutefois en suspend : si l’idée semble excellente pour les petits écrans (smartphones, montres), comment assembler ces circuits CMOS pour fournir des écrans de très grande taille (TV), et surtout à quel prix ?